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IPD70R1K4CEAUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.28368 2.28368
  • 库存: 1000
  • 单价: ¥2.28369
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.28
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 700 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5 nC@10 V
  • 最大功耗 53W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@130A.
  • 场效应管特性 超级结
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@100 V

IPD70R1K4CEAUMA1 产品详情

英飞凌技术公司的CoolMOS CE系列是一款市场领先的高压功率MOSFET,根据超结原理(SJ)设计,专为消费者需求制造。该系列为移动设备、电动工具、电视和LED照明应用提供600 V、650 V和700 V的低功耗充电器。

特色

  • 热性能
  • 装置上≤90°C,打开外壳
  • ≤50°C/70°C封闭箱温度
  • 符合EN55022B标准的EMI
  • 易于使用和快速设计
  • R DS(开)典型值与标称值之间的大裕度导致的低传导损耗
  • 优化输出电容的低开关损耗(E oss)
  • 优化EMI以平衡开关速度和EMI行为
  • 考虑到集成R g,具有良好的可控性

应用

  • 低功率充电器
  • 适配器
  • PC银盒
  • 液晶电视
  • LED改装
  • LED驱动器
IPD70R1K4CEAUMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD70R1K4CEAUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD70R1K4CEAUMA1价格参考¥2.283686,你可以下载 IPD70R1K4CEAUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD70R1K4CEAUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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