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IRFR5305PBF

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc）供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌:
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规格参数

宽（英寸） forty-eight
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
漏源电压标 (Vdss) 55 V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 D-Pak
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
最大功耗 110W（Tc）
漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Tc)
制造厂商
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1200 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 16A, 10V

IRFR5305PBF 产品详情

P沟道功率MOSFET 40V至55V，英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

符合RoHS
低RDS（打开）
行业领先的质量
动态dv/dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
175°C工作温度
P沟道MOSFET

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IRFR5305PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFR5305PBF 由设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFR5305PBF价格参考￥1.810725，你可以下载 IRFR5305PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFR5305PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！