该器件是一种N沟道功率MOSFET,它采用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致极低的导通电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的切换。
特色
- 在市场上排名靠后的RDS中
- 卓越品质(FoM)
- EMI免疫的低Crss/Cissratio
- 高雪崩强度
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 21.51141 | 21.51141 |
10+ | 19.32405 | 193.24057 |
100+ | 15.53095 | 1553.09500 |
500+ | 12.76025 | 6380.12600 |
1000+ | 11.60022 | 11600.22900 |
3000+ | 11.60022 | 34800.68700 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该器件是一种N沟道功率MOSFET,它采用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致极低的导通电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的切换。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...