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N沟道增强型硅栅
这种先进的高压TMOS E–FET设计用于在雪崩模式下承受高能量并有效切换。这种新的高能器件还提供了一个具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。雪崩能量功能专为高压、高速开关应用而设计，如电源、PWM电机控制和其他感应负载，旨在消除感应负载切换设计中的猜测，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
•高温下规定的雪崩能量能力
•低存储栅极电荷，实现高效切换
•设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器的内部源极到漏极二极管-在雪崩模式下吸收高能量
•源极至漏极二极管恢复时间与离散快速恢复二极管相当
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MTPD1346D-200 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 76ns 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥709.8042 |
 | MTPD1346D-300 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 102纳秒 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥826.84946 |
 | MTPD1346D-080 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥189.03969 |
 | MTPD3650D-1.4 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 365纳米 光谱范围: 245nm ~ 400nm 可视角度: 50° 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥638.82378 |
 | MTPD1346-010 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥2,054.11175 |
 | MTPD1346-030 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥605.28152 |
 | MTPD1346-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥696.42517 |
 | MTPD1346D-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥69.79324 |
 | MTPD1346-150 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.06419 |
 | MTPD1500D-2.5 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 440nm 光谱范围: 150nm ~ 550nm 可视角度: 120° 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥48.24496 |
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