9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4497DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4497DY-T1-GE3参考价格为1.97000美元。Vishay Siliconix SI4497DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 36A 8SO。您可以下载SI4497DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4493DY-T1-GE3是MOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm@4.5V，包括卷轴封装，它们设计用于SI4493DY GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，漏极-源极电阻Rds为7.75毫欧姆，晶体管极性为P沟道。
SI4496DY-T1-E3是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 100V 4.6A 8引脚SOIC N T/R。SI4496DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 100V 4.6A 8引脚SOIC N T/R。
SI4497DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4497DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
