Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50W。TO-220AA的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
IRF530
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Tc）
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 670 pF @ 25 V
- 最大功耗 88W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@8.4A，10V
- 材质 -
IRF530 产品详情
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IRF530所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF530 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF530价格参考￥3.404163，你可以下载 IRF530中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF530规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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