特色
- 4.3 A，150 V，RDS（开启）=800 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=2.15 A
- 低栅极电荷（典型值5.4 nC）
- 低铬（典型值7.5 pF）
- 100%雪崩测试
FQD5N15TF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: TO-252，（D-Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1301
- 库存: 0
- 单价: ¥1.44858
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,884.60
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规格参数
- 宽（英寸） forty-eight
- 长（英寸） 72
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-252，（D-Pak）
- 部件状态 过时的
- 制造厂商
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 230 pF@25 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、30W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 2.15A, 10V
- 材质 -
FQD5N15TF 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD5N15TF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQDLX06/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥111.75588 |
| FQDLX08/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥38.17479 |
| FQDLX12/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥6.98216 |
| FQDLZ06/N | 泛达 (Panduit) | COPPER CABLE | ¥9.79463 |
| FQDLX12 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥390.10259 |
| FQDLX24 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥68.91034 |
| FQDLX04 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥424.52422 |
| FQDLX08 | 泛达 (Panduit) | CABLE FIBER OPTIC | ¥67.22897 |
| FQD50N06-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A | ¥4.68721 | |
| FQD8P10TM_F085 | ¥3.79311 |
FQD5N15TF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQD5N15TF 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQD5N15TF价格参考￥1.448580，你可以下载 FQD5N15TF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQD5N15TF规格参数、现货库存、封装信息等信息！