特色
- 导通电阻低。
- 高功率小型模具封装（HUML220L8）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素
RF4E100AJTCR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: HUML2020L8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.51861 | 6.51861 |
| 10+ | 5.72189 | 57.21891 |
| 100+ | 4.38630 | 438.63000 |
| 500+ | 3.46732 | 1733.66050 |
| 1000+ | 2.77388 | 2773.88600 |
| 3000+ | 2.51379 | 7541.37900 |
| 6000+ | 2.36408 | 14184.49800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.51861
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.52
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 最大功耗 2W（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 HUML2020L8
- 包装/外壳 8-PowerUDFN
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1460 pF@15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 12.4毫欧姆@10A，4.5V
RF4E100AJTCR 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RF4463F30-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥67.76492 |
| RF4463F30-915 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥67.76492 |
| RF4432PRO-490 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-868 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-915 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4438PRO-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
RF4E100AJTCR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RF4E100AJTCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RF4E100AJTCR价格参考￥6.518610，你可以下载 RF4E100AJTCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RF4E100AJTCR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
