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IRF7834PBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5欧姆29nC，包括管封装，它们设计用于0.019048盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOIC-8等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为14.3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.25V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为13.7ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导最小值为85S，并且信道模式是增强。
IRF7834是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC。IRF78340可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 19A-8-SOIC、N沟道30V 19V（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
IRF7834TR是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC。IRF7834 TR可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 19A-8-SOIC、N沟道30V 19V（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
