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IRL60HS118

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Tc) 最大功耗: 11.5W(Tc) 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.90876 8.90876
10+ 7.93821 79.38218
100+ 6.18905 618.90580
500+ 5.11261 2556.30900
1000+ 4.48480 4484.80400
4000+ 4.48480 17939.21600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.74990
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.91
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18.5A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 25 V
  • 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@10A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@11A,10V
  • 最大功耗 11.5W(Tc)

IRL60HS118 产品详情

IRL60HS118所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRL60HS118 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL60HS118价格参考¥7.749903,你可以下载 IRL60HS118中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL60HS118规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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