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IPAN60R800CEXKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.99520 9.99520
10+ 8.90152 89.01524
100+ 6.94232 694.23200
500+ 5.73521 2867.60900
1000+ 5.03091 5030.91800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.99520
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.00
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-FP
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 超级结
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.4A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.2 nC@10 V
  • 最大功耗 27W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 2A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@170A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 373 pF @ 100 V
  • 材质 -
IPAN60R800CEXKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPAN60R800CEXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPAN60R800CEXKSA1价格参考¥9.995202,你可以下载 IPAN60R800CEXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPAN60R800CEXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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