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BSC010NE2LSATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、96W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.55143 4.55143
  • 库存: 2
  • 单价: ¥4.55144
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.55
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 64 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-7
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、96W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 39A (Ta), 100A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4700 pF @ 12 V

BSC010NE2LSATMA1 产品详情

特征
•针对高性能降压转换器进行了优化
•V GS=4.5 V时,导通电阻R DS(开)非常低
•100%雪崩测试
•优异的耐热性
•N通道
•根据JEDEC1)对目标应用进行认证
•无铅铅镀层;符合RoHS
•符合IEC61249-2-21的无卤素

特色

  • 通过减少多相转换器中的相数,节省整体系统成本
  • 在所有负载条件下降低功耗并提高效率
  • 使用像CanPAK这样的最小包装节省空间™, S3O8或成套系统解决方案
  • 最小化系统中的EMI,使外部缓冲网络过时,产品易于设计

应用

  • 车载充电器
  • 主板
  • 笔记本
  • 直流-直流
  • VRD/VRM
  • 发光二极管
  • 电机控制


(图片:引线/示意图)

BSC010NE2LSATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC010NE2LSATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC010NE2LSATMA1价格参考¥4.551438,你可以下载 BSC010NE2LSATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC010NE2LSATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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