9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD230N06LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD230N06LG参考价格为0.31000美元。Infineon Technologies IPD230N06LG封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPD230N06LG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD22N08S2L-50是MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装。IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N8S2L50XT SP000252163中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单信道配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为75W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
IPD220N06L3 G是MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为3 ns，漏极源极电阻Rds为22 mOhms，Pd功耗为36 W，部件别名为IPD220N06L3GBTMA1 IPD220NO6L3GXT SP000453644，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD220N06L3G是Infineon制造的MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3。IPD220N06L3G采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3。
