9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB083N10N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB083N10N3GATMA1价格参考1.88000美元。Infineon Technologies IPB083N10N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK。您可以下载IPB083N10N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB083N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB083N1 0N3GTMA1 IPB083N 0N3GTXT SP000458812的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.068654盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-263-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为8.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPB081N06L3GATMA1是MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPB081N06，以及G IPB081NO6L3 IPB081NO 6L3GXT SP000398076部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-263-3，该设备提供1信道数信道。
IPB081N06L3G，带有INF制造的电路图。IPB081NO6L3G采用TO-263-2封装，是FET的一部分-单个。
