9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RS1L120GNTB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1L120GNTB参考价格为1.78000美元。Rohm Semiconductor RS1L120GNTB封装/规格：MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP。您可以下载RS1L120GNTB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS1K-M3/5AT，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AC、SMA包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS1K-M3/61T是DIODE SW 1A 800V DO-214AC，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA（SMA），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为500ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
RS1KTR带电路图，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供500ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SMA（DO-214AC），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
RS1K-T与EDA/CAD模型RS1K-T以SMA封装形式提供，是IC芯片的一部分。
