IAUC60N04S6N044ATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.46018 | 7.46018 |
| 10+ | 6.57655 | 65.76553 |
| 100+ | 5.04033 | 504.03340 |
| 500+ | 3.98417 | 1992.08700 |
| 1000+ | 3.32014 | 3320.14500 |
| 5000+ | 3.32014 | 16600.72500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.46019
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.46
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 最大功耗 42W (Tc)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1042 pF@25 V
- 供应商设备包装 PG-TDSON-8
- 导通电阻 Rds(ON) 4.52毫欧姆 @ 30A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 14A
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IAUC60N04S6N050HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-57 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.38536 |
 | IAUC60N04S6L045HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-57 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.14223 |
 | IAUC60N04S6L030HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.03722 |
 | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
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IAUC60N04S6N044ATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IAUC60N04S6N044ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IAUC60N04S6N044ATMA1价格参考￥7.460187，你可以下载 IAUC60N04S6N044ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IAUC60N04S6N044ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
