特色
- 9.5A，200V，RDS（开启）=0.36Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷（典型值为20 nC）
- 低铬（典型值为40.5 pF）
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用
- 其他音频和视频
FQP10N20CTSTU
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Tc) 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 797
- 库存: 0
- 单价: ¥2.24530
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,789.50
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 360毫欧姆 @ 4.75A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 510 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 72W (Tc)
- 制造厂商
FQP10N20CTSTU 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
FQP10N20CTSTU 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQP572VVF075N | 泛达 (Panduit) | PATCHCORD FIBER OPTIC | ¥723.8739 |
| FQPF6N50C | 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥4.78031 | |
| FQP3N50CTF | 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥2.67987 | |
| FQPF9N25CRDTU | 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.40416 | |
 | FQP22N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 |
 | FQP27P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 |
 | FQPF47P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 |
 | FQPF7N80C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.08936 |
 | FQPF4N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.54411 |
 | FQPF8N80CYDTU | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.02082 |
FQP10N20CTSTU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQP10N20CTSTU 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQP10N20CTSTU价格参考￥2.245299，你可以下载 FQP10N20CTSTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQP10N20CTSTU规格参数、现货库存、封装信息等信息！