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IRFR1018EPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 110W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 56A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 100A
  • 制造厂商
  • 供应商设备包装 D-PAK (TO-252AA)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.4毫欧姆 @ 47A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 69 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2290 pF@50 V

IRFR1018EPBF 产品详情

电机控制和AC-DC同步整流器MOSFET,Infineon电机控制MOSFET

英飞凌为电机控制应用提供了一系列坚固的N沟道和P沟道MOSFET器件。

同步整流器MOSFET

用于AC-DC电源的同步整流MOSFET器件组合支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便携性和更灵活系统的需求。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 正常电平:针对10 V栅极驱动电压进行了优化
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 能够进行波峰焊接
IRFR1018EPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFR1018EPBF 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFR1018EPBF价格参考¥3.259305,你可以下载 IRFR1018EPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFR1018EPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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