9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R750E6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R750E6参考价格为0.45000美元。Infineon Technologies IPD60R750E6封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPD60R750E6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD60R650CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R750CE SP001276026零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为20.5nC，沟道模式为增强。
IPD60R600P6是MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.139332盎司，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该器件也可以用作CoolMOS P6系列。此外，Rds漏极源极电阻为600欧姆，该器件采用IPD60R600P6BTMA1 SP001017050零件别名，该器件具有一卷封装，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为5.6 a。
IPD60R600P6ATMA1带有电路图，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于to-252-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPD60R700P6 SP001178242，技术设计用于Si，以及0.13932盎司单位重量。
