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IAUC41N06S5L100ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tj) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-33 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.31532 7.31532
10+ 6.44618 64.46181
100+ 4.94327 494.32790
500+ 3.90768 1953.84450
1000+ 3.25640 3256.40800
5000+ 3.25640 16282.04000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.31533
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.32
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 最大功耗 42W (Tc)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16.4 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@20A、10V
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-33
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@13A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 41A (Tj)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1205 pF@30 V
  • 材质 -

IAUC41N06S5L100ATMA1 产品详情

IAUC41N06S5L100ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IAUC41N06S5L100ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IAUC41N06S5L100ATMA1价格参考¥7.315329,你可以下载 IAUC41N06S5L100ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IAUC41N06S5L100ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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