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IPD80R2K4P7ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 22W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.25690 8.25690
10+ 7.38775 73.87758
100+ 5.76100 576.10030
500+ 4.75931 2379.65500
1000+ 4.17480 4174.80800
2500+ 4.17480 10437.02000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.17047
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.26
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 最大功耗 22W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@40A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.4欧姆@800毫安,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150 pF @ 500 V
  • 材质 -

IPD80R2K4P7ATMA1 产品详情

描述

COOLMOSTM CE是高压功率MOSFET的革命性技术。高电压能力将安全性、性能和坚固性结合在一起,以实现最高效率水平的稳定设计。COOLMOSTM800V CE具有选定的封装选择,可降低系统成本和更高的功率密度设计


特征

•高压技术

•极限edv/dt额定值

•高峰值电流能力

•低栅极电荷

•有效电容低

•符合JEDEC(J-STD20和JESD22)的工业级应用资格

•无铅铅镀层;符合RoHS;无卤模塑料

应用

•用于QR Flyback拓扑中改装应用的LED照明


特色

  • 低比导通电阻(R DS(开)*A)
  • 400V时输出电容(E oss)的储能非常低
  • 低栅极电荷(Q g)
  • 经现场验证的CoolMOS™ 质量
  • 正向电阻™ 自1998年以来,该技术一直由英飞凌制造
  • 高效率和功率密度
  • 出色的性价比
  • 高可靠性
  • 易于使用

应用

  • LED照明


(图片:引线/示意图)

IPD80R2K4P7ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD80R2K4P7ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD80R2K4P7ATMA1价格参考¥7.170471,你可以下载 IPD80R2K4P7ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD80R2K4P7ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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