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RFD14N05SM9A_NL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 50 V
  • 最大功耗 48W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252,(D-Pak)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Tc)
  • 制造厂商
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@14A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 20 V

RFD14N05SM9A_NL 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 14A,50V
  • rDS(开)=0.100Ω
  • 温度补偿PSPICE®型号
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • UIS评级曲线
  • 175°C工作温度
  • 相关文献 - TB334“将表面安装组件焊接到PC板的指南”

应用

  • 照明
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
RFD14N05SM9A_NL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RFD14N05SM9A_NL 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。RFD14N05SM9A_NL价格参考¥2.607444,你可以下载 RFD14N05SM9A_NL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RFD14N05SM9A_NL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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