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BSC0501NSIATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.89236 12.89236
10+ 11.55966 115.59668
100+ 9.29336 929.33650
500+ 7.63546 3817.73250
1000+ 7.27187 7271.87200
5000+ 7.27187 36359.36000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.53022
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.89
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 最大功耗 2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-6
  • 场效应管特性 肖特基二极管(体)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 29A(Ta)、100A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.9毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2200 pF@15 V

BSC0501NSIATMA1 产品详情

BSC0501NSIATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC0501NSIATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC0501NSIATMA1价格参考¥12.530217,你可以下载 BSC0501NSIATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC0501NSIATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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