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IRFF321

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-205AF (TO-39) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 20伏
  • 最大功耗 20W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 450 pF @ 25 V
  • 制造厂商
  • 漏源电压标 (Vdss) 350伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-205AF (TO-39)
  • 包装/外壳 TO-205AF金属罐
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.8欧姆@1.25A,10V

IRFF321 产品详情

IRFF321所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFF321 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFF321价格参考¥3.838737,你可以下载 IRFF321中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFF321规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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