9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16407Q5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16407Q5价格参考1.93000美元。德州仪器CSD16407Q5封装/规格：MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON。您可以下载CSD16407Q5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16406Q3是MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1100pF@12.5V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19A（Ta），60A（Tc），最大Id Vgs为5.3mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.1nC@4.5V，Pd功耗为2.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.8 ns，上升时间为12.9ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8.5ns，典型导通延迟时间为7.3ns，Qg栅极电荷为5.8nC，正向跨导Min为53S，信道模式为增强。
CSD16406Q5带有TI制造的用户指南。CSD16406Q 5采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
CSD16407带有TI制造的电路图。CSD16407采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
