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CSD18542KCS是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD18542KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导最小值为198S，并且信道模式是增强。
CSD18540Q5BT是MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-VSON（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如2.2mOhm@28A，10V，Power Max设计为3.1W，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有4230pF@30V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为53nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为100A（Ta）。
CSD18542KTT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175，包括卷筒包装，它们设计为与CSD18542KTT系列一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
