9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16411Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16411第三季度参考价格为0.91000美元。德州仪器CSD16411Q3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON。您可以下载CSD16411Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16410Q5A是MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON，包括CSD16410Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.6 ns，上升时间为10.7ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.5ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为3.9nC，正向跨导最小值为38S，沟道模式为增强。
CSD16410，带有CICLON制造的用户指南。CSD16410采用SO-8封装，是FET的一部分-单体。
CSD16411，带有TI制造的电路图。CSD16411采用QFN8封装，是FET的一部分-单个。
