9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCD5N60TM-WS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCD5N60TM-WS价格参考1.31000美元。onsemi FCD5N60TM-WS封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK。您可以下载FCD5N60TM-WS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FCD5N60TM是MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK，包括SuperFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为54W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为600pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为950 mOhm@2.3A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，Pd功耗为54 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为40ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为810mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型导通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为3.8S，信道模式是增强。
FCD5N60_F085是MOSFET Automotive/SuperFET1/6600V/4.6A/1.05 OHM，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为19 ns，器件的漏极-源极电阻为3.2欧姆，Qg栅极电荷为16 nC，Pd功耗为54 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.6A，下降时间为13ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FCD5N60，带有FAIRCHILD制造的电路图。FCD5N60采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
