9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16412Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16412Q5A参考价格为0.92000美元。德州仪器CSD16412Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON。您可以下载CSD16412Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16411Q3是MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为570pF@12.5V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Ta），56A（Tc），Rds On最大Id Vgs为10mOhm@10A，10V，Vgs th最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.8nC@4.5V，Pd功耗为2.7W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3.1 ns，上升时间为7.8 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第N栅极-源极端电压为2 V，Rds漏极源极电阻为15 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为2.9nC，正向跨导最小值为30S，信道模式为增强。
CSD16411带有TI制造的用户指南。CSD16411采用QFN8封装，是FET的一部分-单个。
CSD16412带有TI制造的电路图。CSD16412采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
