特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低电容
- 优化门电荷
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用
（图片：引出线）
NTTFS5820NLTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、37A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、33W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.09804 | 7.09804 |
| 10+ | 6.21440 | 62.14408 |
| 100+ | 4.76727 | 476.72770 |
| 500+ | 3.76848 | 1884.24050 |
| 1500+ | 3.01478 | 4522.17750 |
| 3000+ | 2.99761 | 8992.85700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.09804
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.10
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Ta）、37A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 11.5毫欧姆@8.7A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1462 pF @ 25 V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、33W（Tc）
- 材质 -
NTTFS5820NLTAG 产品详情
功率MOSFET60V，37A，11.5mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS5820NLTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS5820NLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS5820NLTAG价格参考￥7.098042，你可以下载 NTTFS5820NLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS5820NLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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