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CSD19534Q5A是MOSFET N-CH 100V 137A 8SON，包括CSD19534Q 5A系列，它们设计为使用卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供63 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为17.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
CSD19535KCS是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括2.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为CSD19535KCS系列，该器件的上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为3.4 mOhms，Qg栅极电荷为78 nC，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为187 A，正向跨导最小值为274 S，下降时间为5 ns，配置为单一。
CSD19534Q5AT是MOSFET N-CH 100V 50 8SON，包括50A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计用于22nC@10V，除了1680pF@50V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerTDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为3.2W，最大Id Vgs上的Rds为15.1 mOhm@10A，10V，系列为NexFET？，供应商设备包为8-VSON（5x6），Vgs th Max Id为3.4V@250μA。
