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DMNH10H028SCT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.58864 11.58864
10+ 10.36459 103.64590
100+ 8.08090 808.09040
500+ 6.67563 3337.81800
1000+ 5.27029 5270.29600
2000+ 4.91894 9837.88600
5000+ 4.79117 23955.89000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.58864
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.59
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 2.8W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@20A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31.9 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1942 pF@50 V
  • 色彩/颜色

DMNH10H028SCT 产品详情

Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数,最大限度地减少了功率损耗,从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
DMNH10H028SCT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMNH10H028SCT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMNH10H028SCT价格参考¥11.588640,你可以下载 DMNH10H028SCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMNH10H028SCT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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