9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17312Q5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17312Q5价格参考2.49000美元。德州仪器CSD17312Q5封装/规格：MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON。您可以下载CSD17312Q5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD17312Q5价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD17311Q5是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为4280pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为32A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2mOhm@30A，8V，Vgs的最大Id为1.6V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为31nC@4.5V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.2V，Rds导通-源极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导Min为200S。
CSD17310Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括1.3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17310Q5A系列，Rds漏极-源极电阻为5.9mOhms，Qg栅极电荷为8.9nC，Pd功耗为3.1W，包装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为21 A，正向跨导最小值为85 S，配置为单一。
CSD17310带有TI制造的电路图。CSD17310采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
