NTHL110N65S3F
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 40.77752 | 40.77752 |
| 10+ | 36.65631 | 366.56317 |
| 100+ | 30.03123 | 3003.12360 |
| 500+ | 25.56497 | 12782.48700 |
| 1000+ | 24.50092 | 24500.92000 |
- 库存: 1191
- 单价: ¥40.77753
-
数量:
- +
- 总计: ¥40.78
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@15A、10V
- 最大功耗 240W（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 3毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2560 pF@400 V
- 色彩/颜色 -
- 长（英寸） 8
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 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHL110N65S3F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTHL110N65S3F 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHL110N65S3F价格参考￥40.777527，你可以下载 NTHL110N65S3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHL110N65S3F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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