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CSD19536KCS是MOSFET N-CH 100V TO-220，包括NexFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-220-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为375W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为12000pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为150A（Ta），最大Id Vgs的Rds为2.7mOhm@100A，10V，Vgs的最大Id为3.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为153nC@10V，Pd功耗为375W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为259A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds漏极源极导通电阻为2.5mm欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为118nC，正向跨导最小值为307S。
CSD19536KTTT是MOSFET 100V N沟道NexFET功率MOSFET，包括2.1 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.068654盎司，典型的开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD19536KTT，上升时间为8ns，漏极-源极电阻Rds为2.8mOhm，Qg栅极电荷为118nC，Pd功耗为375W，封装为卷轴，封装盒为TO-263-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为200 A，正向跨导最小值为329 S，下降时间为6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19537Q3是MOSFET 100V N沟道NexFET功率MOSFET，包括增强型沟道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于3 ns，提供Id连续漏极电流功能，如53 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为83 W，Qg栅极电荷为16 nC，漏极-源极电阻Rds为16.6 mOhm，上升时间为3 ns，系列为CSD19537Q3，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为5ns，单位重量为0.000847oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2.6V。
CSD19536KTT是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供CSD19536KTT等系列功能，晶体管类型设计用于1个N通道以及1个通道数量的通道。
