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CSD23203WT是MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA，包括CSD23203W系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及DSBGA-6封装盒，该设备也可以用作Si技术，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为27 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-3 a，Vds漏极-源极击穿电压为-8 V，Vgs栅-源极阈值电压为-0.8 V，Rds导通漏极-源极电阻为16.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为4.9nC。
CSD23203W是MOSFET CSD23203W8 V P沟道MOSFET 6-DSBGA，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作，商品名显示在数据表注释中，用于NexFET，提供Si等技术特性，系列设计用于CSD23203W，以及卷筒包装，该设备也可以用作1信道数信道。
CSD23280F3是MOSFET 12 V P沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR-55至150，包括卷筒封装，它们设计为与CSD23280F2系列一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
