
CSD19534KCS
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 118W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 德州仪器 (Texas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.67507 | 12.67507 |
10+ | 11.34962 | 113.49624 |
100+ | 8.85082 | 885.08240 |
500+ | 7.31156 | 3655.78150 |
1000+ | 6.12206 | 6122.06100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.67508
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.68
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 德州仪器 (Texas)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.4V@250A.
- 最大功耗 118W(Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22.2 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 16.5毫欧姆@30A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1670 pF @ 50 V
- 色彩/颜色 -
CSD19534KCS 产品详情
N沟道NexFET™ 功率MOSFET,德州仪器
CSD19534KCS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD19534KCS 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD19534KCS价格参考¥12.675075,你可以下载 CSD19534KCS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD19534KCS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
德州仪器 (Texas)

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