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CSD19534KCS

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 118W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.67507 12.67507
10+ 11.34962 113.49624
100+ 8.85082 885.08240
500+ 7.31156 3655.78150
1000+ 6.12206 6122.06100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.67508
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.68
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.4V@250A.
  • 最大功耗 118W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22.2 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 16.5毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1670 pF @ 50 V
  • 色彩/颜色 -

CSD19534KCS 产品详情

N沟道NexFET™ 功率MOSFET,德州仪器
CSD19534KCS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD19534KCS 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD19534KCS价格参考¥12.675075,你可以下载 CSD19534KCS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD19534KCS规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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