特色
- VGS=10 V，ID=80 A时，典型RDS（开）=1.5 mΩ
- VGS=10 V，ID=80 A时的典型Qg（tot）=207 nC
- UIS能力
- 符合RoHS
- 符合AEC Q101
应用
- 动力传动系统管理
- 12V系统的主开关
- 汽车发动机控制
FDB86360-F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 38.38737 | 38.38737 |
| 10+ | 34.49793 | 344.97933 |
| 100+ | 28.26469 | 2826.46930 |
| 800+ | 24.06120 | 19248.96320 |
| 1600+ | 23.05980 | 36895.68000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥34.04163
-
数量:
- +
- 总计: ¥38.39
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
- 最大功耗 333W (Tc)
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 110A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 1.8毫欧姆@80A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 253 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14600 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
FDB86360-F085 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，80V，110A，1.5 mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB86360-F085所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB86360-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB86360-F085价格参考￥34.041630，你可以下载 FDB86360-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB86360-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
