9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18504Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18504Q5AT参考价格1.75000美元。德州仪器CSD18504Q5AT封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON。您可以下载CSD18504Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18504Q5A是MOSFET N-CH 40V 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1656pF@220V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A（Ta），50A（Tc），Rds On最大Id Vgs为6.6 mOhm@17A，10V，Vgs th最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds漏极源极电阻为9.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为16nC。
CSD18504KCS是MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET，包括1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18504KCS，上升时间为5.2 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhm，Qg栅极电荷为19 nC，Pd功耗为93 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为85 A，正向跨导最小值为72 S，下降时间为4.2 ns，配置为单一。
CSD18503Q5AT是MOSFET 40V CSD18503Q 5A 8-VSONP，包括卷筒包装，它们设计为与CSD18503 Q5A系列一起工作，技术如数据表注释所示，用于Si。
