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CSD17556Q5B是MOSFET N-CH 30V 8-VSON，包括CSD17556Q 5B系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为218 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通-漏极-漏极电阻为1.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为28.5nC，正向跨导最小值为197S。
CSD17559Q5是MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET，包括1.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17559Q5系列，上升时间为41纳秒，漏极源极电阻Rds为1.5毫欧，Qg栅极电荷为39 nC，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为235 S，下降时间为14 ns，配置为单一。
CSD17555Q5A是MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET，包括单一配置，它们设计为以100 a Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作VSON-FET-8封装盒。此外，包装为Reel，器件提供3 W Pd功耗，器件具有23 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为3.4 mOhms，系列为CSD17555Q5A，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第二栅极-源极端电压为1.5V。
CSD17556Q5BT是MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供CSD17556Q 5B等系列功能，晶体管类型设计用于1 N通道，以及1通道通道数。
