9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP3010LK3Q-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP3010LK3Q-13参考价格0.99000美元。Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13封装/规格：MOSFET P-CH 30V 17A TO252。您可以下载DMP3010LK3Q-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP3010LK3-13是MOSFET P CH 30V 17A TO252，包括DMP3010系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为6234pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为59.2nC@4.5V，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为99.3 ns，上升时间为9.4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-14.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-2.1V，Rds漏极电阻为10.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为260.7ns，典型导通延迟时间为11.4ns，Qg栅极电荷为59.2nC，正向跨导最小值为30S，信道模式为增强。
DMP3008SFGQ，带用户指南，包括-2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.002540盎司，典型开启延迟时间设计为10.5 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP3008系列，该器件的上升时间为8.5 ns，漏极-源极电阻Rds为25 mOhms，Qg栅极电荷为47 nC，Pd功耗为2.2 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-8.6 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP3008SFGQ-13带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了40 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如-8.6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerDI-3333封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为2.2W，Qg栅极电荷为47nC，Rds漏极源极电阻为25mOhm，上升时间为8.5ns，系列为DMP3008，技术为Si，晶体管极性为P信道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为10.5ns，单位重量为0.002540 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Vgsth栅极-源阈值电压为-2.1 V。
