9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF18N55M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF18N55M5参考价格为3.21000美元。STMicroelectronics STF18N55M5封装/规格：MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP。您可以下载STF18N55M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF17N62K3是MOSFET N-Ch 620V 0.34 Ohm 15A SuperMESH 3 2，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有40W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为62 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为15.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为620V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为105nC，沟道模式为增强。
STF17NF25是MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为17.2纳秒，漏极-源极电阻Rds为165毫欧，Pd功耗为25瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，下降时间为8.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF16NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP。STF16NM50N采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 15A TO-22 0FP、N沟道500V 15A（Tc）30W（Tc）通孔TO-220FP。
