9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18533Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18533Q5AT价格参考1.69000美元。德州仪器CSD18533Q5AT封装/规格：MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON。您可以下载CSD18533Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18533KCS是MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT。。，包括CSD18533KCS系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为160 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.2 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为114A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型导通延迟时间为5.7ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导最小值为150S。
CSD18533Q5A是MOSFET N-CH 60V 17A 8SON，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SON（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如5.9 mOhm@18A，10V，Power Max设计为工作在3.2W，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有2750pF@30V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为17A（Ta），100A（Tc）。
CSD18532Q5BT是TI制造的“MOSFET 60V”。CSD18532Q 5BT采用VSON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET60V、Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET60V和N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
