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CSD18537NQ5A是MOSFET N-CH 60V 50A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-SON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为75W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1480pF@30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为11A（Ta），50A（Tc），Rds On最大Id Vgs为13mOhm@12A，10V，Vgs th最大Id为3.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.2ns，上升时间为4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.4ns，典型导通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为62S，信道模式为增强。
CSD18537NKCS是MOSFET 60V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为4.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18537NKCS，上升时间为3.2ns，漏极-源极电阻Rds为14mOhm，Qg栅极电荷为14nC，Pd功耗为79W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为54 A，正向跨导最小值为100 S，下降时间为3.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18536KTTT是“TI制造的MOSFET 60V。CSD18536KTTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET60V、N沟道60V 200A（Ta）、349A（Tc）375W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH Si 60V 200V 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET60V和N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175。
