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CSD25404Q3是MOSFET 20V Pch MOSFET，包括CSD25404Q4系列，它们设计用于卷盘封装，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了信道数功能，如1信道，配置设计用于单信道以及1 P信道晶体管类型，该器件还可以用作96 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为13 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为-104 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为-650 mV，Rds导通漏极-源极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为10.8nC，沟道模式为耗尽。
CSD25480F3是MOSFET-20V P沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR-55至150，包括硅技术，它们设计用于CSD25480F3系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
CSD25404Q3T是TI制造的“MOSFET-20V”。CSD25404Q4T采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET-20V、P沟道20V 104A（Tc）2.8W（Ta）、96W（Tc）表面安装8-VSON（3.3x3.3）、Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET-20W、P沟道NexFET Pwr MOSFET。
