STFW3N150

Name: STFW3N150
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7136613-STFW3N150
Price: 8.447456 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1500伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc）最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
工作温度 150摄氏度（TJ）
漏源电压标 (Vdss) 1500伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功耗 63W (Tc)
供应商设备包装 TO-3PF
包装/外壳 TO-3P-3全套
漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@1.3A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.3 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 939 pF@25 V
色彩/颜色 -

STFW3N150 产品详情

这些功率MOSFET是使用该公司基于MESH OVERLAY工艺的整合条带布局设计的。其结果是产品与其他制造商的可比标准部件的性能相匹配或有所改进。

特色

100%雪崩测试
固有电容和电容化
高速切换
全外侧TO-3PF塑料包装，爬行距离为5.4mm（典型值）

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STFW3N150所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STFW3N150 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STFW3N150价格参考￥8.447456，你可以下载 STFW3N150中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STFW3N150规格参数、现货库存、封装信息等信息！