9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF830ALPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF830ALPBF价格参考2.50000美元。Vishay Siliconix IRF830ALPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK。您可以下载IRF830ALPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF830ALPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF830A是MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供74 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF8308MTRPBF是MOSFET N-CH 30V 27A MX，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于DirectFET以及Si技术，该器件也可以用作3.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为28nC，该器件提供89W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为DirectFET-5，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为150A。
IRF830AL是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3。IRF830AL可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5A TO262-3、N沟道500V 5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc）通孔I2PAK。
