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FCD620N60ZF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.42737 15.42737
10+ 13.88463 138.84639
100+ 11.15986 1115.98600
500+ 9.16864 4584.32100
1000+ 8.33512 8335.12900
2500+ 8.33512 20837.82250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.42738
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
  • 最大功耗 89W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.3A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 620毫欧姆 @ 3.6A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1135 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

FCD620N60ZF 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源(SMPS)应用(如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用)中提供了一流的稳健体二极管性能,这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案,从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

  • 650 V@TJ=150℃
  • 最大RDS(开)=620mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=20nC)
  • 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=71pF)
  • 100%雪崩测试
  • ESD提高容量
  • 符合RoHS

应用

  • 工业电源应用
  • 太阳能逆变器/AC-DC电源
  • 平板显示电视电源
  • 服务器/电信电源
  • LCD/LED/PDP电视和监视器照明
FCD620N60ZF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCD620N60ZF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCD620N60ZF价格参考¥15.427377,你可以下载 FCD620N60ZF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCD620N60ZF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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