这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。该产品的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种非常高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
特色
- 用于宽SOA的平面单元结构
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100kHz的应用切换
- 行业标准表面安装电源组件
- 能够进行波峰焊接
IRLR3915
- 描述:IRLR3915
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 11
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 11+ | 17.23810 | 189.61912 |
| 300+ | 16.51381 | 4954.14360 |
| 700+ | 15.86195 | 11103.36570 |
| 2000+ | 15.28251 | 30565.03800 |
| 5000+ | 14.70308 | 73515.43500 |
- 库存: 88
- 单价: ¥17.23810
-
数量:
- +
- 总计: ¥189.62
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 色彩/颜色 银
IRLR3915 产品详情
IRLR3915 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IRL 81A-RS | 欧思朗 (OSRAM) | HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N | ¥61.65157 |
 | IRL3803PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLR3915所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLR3915 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLR3915价格参考￥17.238102，你可以下载 IRLR3915中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLR3915规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
