9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5104TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5104TR2PBF价格参考1.30000美元。Infineon Technologies IRFH5104TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN。您可以下载IRFH5104TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH5025TRPBF是MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装情况如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.1 ns，上升时间为6.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds漏极源极电阻为100 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为37nC，沟道模式为增强。
IRFH5053TRPBF是MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.6 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如18 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为14.6ns，器件提供18 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有24nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为46 A，下降时间为9.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFH5030PBF带有由IR制造的电路图。IRFH50330PBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
IRFH5104PBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFH5104FBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
